對于柔性顯示器、柔性太陽能電池、柔性傳感器等柔性電子器件，光學(xué)透明導(dǎo)電膜是至關(guān)重要的部件。其中，氧化銦錫(ITO)因其良好的光學(xué)透明性和導(dǎo)電性，被廣泛用于制備各種柔性透明導(dǎo)電膜。為了獲得更好的導(dǎo)電性，ITO通常需要在250℃以上退火，實(shí)現(xiàn)其從非晶結(jié)構(gòu)向多晶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變。然而，高溫退火對導(dǎo)電膜的光學(xué)透明性有負(fù)面影響，如何平衡ITO導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性和透過率是一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)。

近期，研究工作人員進(jìn)行發(fā)展了一種磁控濺射技術(shù)沉積ITO薄膜的低溫以及等離子體退火過程中工藝，研究了等離子體氬氣（Ar）與氧氣（O2）的類型企業(yè)及其經(jīng)濟(jì)持續(xù)學(xué)習(xí)時(shí)間等對薄膜的透光性與電阻率的影響，并經(jīng)中國低溫（＜50℃）處理可以同時(shí)也是實(shí)現(xiàn)了ITO薄膜的高透光率和低電阻率。

結(jié)果表明: 透明導(dǎo)電薄膜的微觀結(jié)構(gòu)在很大程度上取決于 ITO 的沉積條件和退火工藝，濺射功率和 O _ 2濃度對薄膜的性能有重要影響。研究人員首先以450μm 厚的浮法玻璃為基底，采用100W 的低濺射功率和6vol% O2濃度，然后對300W Ar 等離子體進(jìn)行40min 退火，制備出綜合性能良好的薄膜?？梢姽鈪^(qū)平均透過率為94% ，電阻率為2.3 × 10? ？3ω · cm.

相比之下，無O2濺射制備的導(dǎo)電膜透過率為89%，電阻率為0.9×10？3ω厘米.這表明用Ar等離子體的退火處理更有效。此外，發(fā)現(xiàn)等離子退火工藝可以并行處理多個(gè)晶片，這與激光束工藝不同。退火處理的深度約為370納米。

在玻璃表面制備 ITO 導(dǎo)電薄膜工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步采用旋涂法制備的5μm 厚聚酰亞胺(PI)薄膜作為襯底，在50 °C 下制備透明的 ITO 導(dǎo)電薄膜并進(jìn)行退火處理，實(shí)現(xiàn)了全透明柔性光學(xué)探針。低溫處理技術(shù)使得在低溫下制備聚合物透明 ITO 導(dǎo)電薄膜成為可能，在光學(xué)和電子器件領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。